
SWIR
Short-Wave Infrared Camera

SWIR
Short-Wave Infrared Camera

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Short-Wave Infrared Camera


양자점 SWIR 카메라
양자점 SWIR 카메라
양자점 SWIR 카메라
SDT 양자점 Short-Wave Infrared (SWIR) 카메라는 양자점 기술을 활용해 SWIR 대역에서 InGaAs 카메라와 유사한 감도를 제공하면서도 훨씬 더 합리적인 가격으로 설계되었습니다. 또한 양자점 기술 덕분에 소형ㆍ경량화가 가능하여 국방ㆍ농업ㆍ생명과학ㆍ통신 등의 분야에서 이용되고 있습니다.
SDT 양자점 Short-Wave Infrared (SWIR) 카메라는 양자점 기술을 활용해 SWIR 대역에서 InGaAs 카메라와 유사한 감도를 제공하면서도 훨씬 더 합리적인 가격으로 설계되었습니다. 또한 양자점 기술 덕분에 소형ㆍ경량화가 가능하여 국방ㆍ농업ㆍ생명과학ㆍ통신 등의 분야에서 이용되고 있습니다.
양자점과 양자점 카메라
양자점과 양자점 카메라
양자점과 양자점 카메라
量子ドットとは半導体のナノ結晶で、独特な電気光学的特性を持っています。量子ドットのサイズは一般的に数ナノメートル(10-9)程度で、このような小さなサイズのために電子が非常に限られた空間に閉じ込められます。
この現象は量子閉じ込め効果(quantum confinement effect)と呼ばれます。量子ドットの主な特徴は、サイズに応じて吸収し放出する光の波長が異なるという点です。例えば、小さな量子ドットは短い波長(青色または紫外線)の光を放出し、大きな量子ドットは長い波長(赤色)の光を放出します。これらの特性のため、量子ドットはディスプレイ、バイオイメージング、画像センサーなどに利用されています。
量子ドットの独特な量子力学的性質のおかげで、量子ドットカメラは低照度環境でも高感度を提供し、暗い場所でも高解像度の画像をキャプチャして軍事施設、半導体などのIT機器製造現場、農水産業などで使用されています。
量子ドットとは半導体ナノ結晶であり、独特な電気光学的特性を持っています。量子ドットのサイズは一般的に数ナノメートル(10-9)程度で、このような小さなサイズのために電子が非常に限られた空間に閉じ込められます。
この現象は量子拘束効果(quantum confinement effect)と呼ばれます。量子ドットの主な特徴は、サイズに応じて吸収し放出する光の波長が変わるという点です。例えば、小さな量子ドットは短い波長(青色または紫外線)の光を放出し、大きな量子ドットは長い波長(赤色)の光を放出します。このような特性のため、量子ドットはディスプレイ、バイオイメージング、イメージセンサーなどに活用されています。
量子ドットの独特な量子力学的性質のおかげで、量子ドットカメラは低照度環境でも高い感度を提供し、暗い場所でも高解像度の画像をキャプチャし、軍事施設、半導体などのIT機器製造現場、農水産業などで使用されています。
量子ドットとは半導体ナノ結晶体であり、独特の電気光学特性を持っています。量子ドットのサイズは一般的に数ナノメートル(10-9)程度であり、このような小さなサイズのために電子は非常に限られた空間に閉じ込められます。
この現象は量子閉じ込め効果(quantum confinement effect)と呼ばれます。量子ドットの主要な特徴は、サイズに応じて吸収し放出する光の波長が変わるという点です。たとえば、小さな量子ドットは短波長(青色または紫外線)の光を放出し、大きな量子ドットは長波長(赤色)の光を放出します。この特性のおかげで、量子ドットはディスプレイ、バイオイメージング、画像センサーなどに利用されています。
量子ドットの独特の量子力学的特性のおかげで、量子ドットカメラは低照度環境でも高感度を提供し、暗い場所でも高解像度の画像をキャプチャし、軍事施設、半導体などのIT機器製造現場、農水産業などで使用されています。
일반 카메라
일반 카메라






양자점 SWIR 카메라




양자점 SWIR 카메라


양자점 SWIR 카메라의 차별점
양자점 SWIR 카메라의 차별점
양자점 SWIR 카메라의 차별점
SDT 양자점 SWIR 카메라는 양자점의 특성을 이용해 연기, 안개, 먼지 등을 투과하여 목표를 명확하게 식별합니다.
비슷한 목적을 위해 사용되는 InGaAs 카메라는 희귀 원소를 사용하고 제조에 특수 장비가 필요한 반면, 양자점 센서는 기존 반도체 생산 인프라를 활용하여
양산이 가능해 타 기술 대비 현저히 낮은 비용으로 생산 가능합니다.
* 상온 기준
Technology
Technology
SDT Quantum Dot SWIR
SDT Quantum
Dot SWIR
SDT Quantum Dot SWIR
Silicon
CMOS
Silicon
CMOS
InGaAs
InGaAs
Ge on
Silicon
Ge on
Silicon
Spectral range
Spectral range
400 – 1700 nm
400 – 1700 nm
300 – 940 nm
300 – 940 nm
400 – 1700 nm
400 – 1700 nm
300 – 1600 nm
300 – 1600 nm
Quantum Efficiency
at 1,500nm*
Quantum Efficiency
at 1,500nm*
> 40%
> 40%
0%
0%
> 70%
> 70%
< 20%
< 20%
Dark current*
Dark current*
< 200 nA/cm²
< 200 nA/cm²
1 - 0.001 nA/cm²
1 - 0.001 nA/cm²
< 10 nA/cm²
< 10 nA/cm²
> 20,000 nA/cm²
> 20,000 nA/cm²
Pixel pitch
(resolution)
Pixel pitch
(resolution)
< 2-20 μm
(>0.3 - 10 MP)
< 2-20 μm
(>0.3 - 10 MP)
< 1 - 3 μm
(> 2 - 10 MP)
< 1 - 3 μm
(> 2 - 10 MP)
5 -20 μm
( < 1.36 MP)
5 -20 μm
( < 1.36 MP)
7 - 10 μm
7 - 10 μm
Price per camera
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