霧、煙、海霧環境での高感度映像撮影のための量子ドット短波長赤外(SWIR)カメラ
Quantum Dot Short-Wave Infrared Camera
霧、煙、海霧環境での高感度映像撮影のための量子ドット短波長赤外(SWIR)カメラ
Quantum Dot Short-Wave Infrared Camera
量子ドットSWIRカメラ
SDT量子ドットショートウエーブ赤外線（SWIR）カメラは、量子ドット技術を活用してSWIR帯域でInGaAsカメラと同様の感度を提供しながら、はるかに合理的な価格で設計されています。また、量子ドット技術のおかげで小型・軽量化が可能になり、防衛、農業、生命科学、通信などの分野で利用されています。
量子ドットと量子ドットカメラ
量子ドットとは半導体のナノ結晶で、独特な電気光学的特性を持っています。量子ドットのサイズは一般的に数ナノメートル（10-9）程度で、このような小さなサイズのために電子が非常に限られた空間に閉じ込められます。
この現象は量子閉じ込め効果（quantum confinement effect）と呼ばれます。量子ドットの主な特徴は、サイズに応じて吸収し放出する光の波長が異なるという点です。例えば、小さな量子ドットは短い波長（青色または紫外線）の光を放出し、大きな量子ドットは長い波長（赤色）の光を放出します。これらの特性のため、量子ドットはディスプレイ、バイオイメージング、画像センサーなどに利用されています。
量子ドットの独特な量子力学的性質のおかげで、量子ドットカメラは低照度環境でも高感度を提供し、暗い場所でも高解像度の画像をキャプチャして軍事施設、半導体などのIT機器製造現場、農水産業などで使用されています。
量子ドットとは半導体ナノ結晶であり、独特な電気光学的特性を持っています。量子ドットのサイズは一般的に数ナノメートル(10-9)程度で、このような小さなサイズのために電子が非常に限られた空間に閉じ込められます。
この現象は量子拘束効果(quantum confinement effect)と呼ばれます。量子ドットの主な特徴は、サイズに応じて吸収し放出する光の波長が変わるという点です。例えば、小さな量子ドットは短い波長(青色または紫外線)の光を放出し、大きな量子ドットは長い波長(赤色)の光を放出します。このような特性のため、量子ドットはディスプレイ、バイオイメージング、イメージセンサーなどに活用されています。
量子ドットの独特な量子力学的性質のおかげで、量子ドットカメラは低照度環境でも高い感度を提供し、暗い場所でも高解像度の画像をキャプチャし、軍事施設、半導体などのIT機器製造現場、農水産業などで使用されています。
量子ドットとは半導体ナノ結晶体であり、独特の電気光学特性を持っています。量子ドットのサイズは一般的に数ナノメートル（10-9）程度であり、このような小さなサイズのために電子は非常に限られた空間に閉じ込められます。
この現象は量子閉じ込め効果（quantum confinement effect）と呼ばれます。量子ドットの主要な特徴は、サイズに応じて吸収し放出する光の波長が変わるという点です。たとえば、小さな量子ドットは短波長（青色または紫外線）の光を放出し、大きな量子ドットは長波長（赤色）の光を放出します。この特性のおかげで、量子ドットはディスプレイ、バイオイメージング、画像センサーなどに利用されています。
量子ドットの独特の量子力学的特性のおかげで、量子ドットカメラは低照度環境でも高感度を提供し、暗い場所でも高解像度の画像をキャプチャし、軍事施設、半導体などのIT機器製造現場、農水産業などで使用されています。
一般的なカメラ
量子ドットSWIRカメラ
一般的なカメラ
量子ドットSWIRカメラ
量子ドットSWIRカメラの差別化ポイント
SDT量子点SWIRカメラは、量子点の特性を利用して煙、霧、塵などを透過し、対象を明確に識別します。
似た目的で使用されるInGaAsカメラは希少元素を使用し、製造に特殊な装置が必要ですが、量子点センサーは既存の半導体製造インフラを活用して
量産が可能であり、他の技術に比べて著しく低コストで生産できます。
SDT量子点SWIRカメラは、量子点の特性を利用して煙、霧、ほこりなどを透過し、目標を明確に識別します。
同様の目的で使用されるInGaAsカメラは、希少元素を使用し、製造に特別な設備が必要ですが、量子点センサーは既存の半導体生産インフラを活用することで、
量産が可能であり、他の技術に比べて顕著に低いコストで生産できます。
SDT量子点SWIRカメラは、量子点の特性を利用して煙、霧、ほこりなどを透過し、目標を明確に識別します。
同様の目的で使用されるInGaAsカメラは、希少元素を使用し、製造に特別な装置が必要な一方で、量子点センサーは既存の半導体生産インフラを活用して
量産が可能で、他の技術に比べて著しく低いコストで生産できます。
* 常温基準
Technology
SDT Quantum Dot SWIR
Silicon
CMOS
InGaAs
Ge on
Silicon
Spectral range
400 – 1700 nm
300 – 940 nm
400 – 1700 nm
300 – 1600 nm
Quantum Efficiency
at 1,500nm*
> 40%
0%
> 70%
< 20%
Dark current*
< 200 nA/cm²
1 - 0.001 nA/cm²
< 10 nA/cm²
> 20,000 nA/cm²
Pixel pitch
(resolution)
< 2-20 μm
(>0.3 - 10 MP)
< 1 - 3 μm
(> 2 - 10 MP)
5 -20 μm
( < 1.36 MP)
7 - 10 μm
Price per camera
$$
$
$$
$$$$$
* 常温基準
Technology
SDT Quantum Dot SWIR
SDT Quantum
Dot SWIR
Silicon
CMOS
InGaAs
Ge on
Silicon
Spectral range
400 – 1700 nm
300 – 940 nm
400 – 1700 nm
300 – 1600 nm
Quantum Efficiency
at 1,500nm*
> 40%
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> 70%
< 20%
Dark current*
< 200 nA/cm²
1 - 0.001 nA/cm²
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> 20,000 nA/cm²
Pixel pitch
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(>0.3 - 10 MP)
< 1 - 3 μm
(> 2 - 10 MP)
5 -20 μm
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Price per camera
$$
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私たちのサポートが必要ですか？
科学研究に集中してください。ハードウェアは私たちが担当します。
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Products
Quantum Design and Manufacturing
Full-Stack Quantum Computing
SDT株式会社
ソウル特別市江南区テヘラン路44ギル 5, 10階 06211
事業者登録番号: 630-87-00933
Copyright© SDT Inc., All rights reserved.
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